Оборудование отдела 140
Эпитаксия полупроводниковых гетероструктур на основе In, Ga, Al — As, N
- установка МОГФЭ Epiquip VP 502-RT.
Диагностика и исследование гетероструктур
Рентгеноструктурный анализ
- дифрактометр рентгеновский общего назначения ДРОН - 4, модифицированный;
- дифрактометр рентгеновский Bruker D8 Discover.
Аналитический анализ
- масс-спектрометр вторичных ионов TOF. SIMS 5;
- фурье-спектрометр Infralum FT-801.
Зондовая микроскопия
- микроскоп сканирующий зондовый Solver P4;
- микроскоп сканирующий зондовый «СММ-2000".
Электрофизические исследования микроструктур
- автоматизированный комплекс для измерения I-V и C-V характеристик;
- характериограф 4832;
- СВЧ зондовая установка PM-5.
Фотоэлектрические исследования
- фурье-спектрометр Infralum FT-801;
- монохроматор МДР-41.
Исследование поверхности
- оптическая измерительная система Talysurf CCI 2000;
- профилометр модели 130.
Микро- и наноэлектроника
- установки для напыления (металлов, диэлектриков, сверхпроводников, органических полупроводников);
- установка для быстрого отжига полупроводниковых структур AcuThermo AW 410 System;
- установка экспонирования контактной фотолитографии SUSS MJB4;
- установка плазмохимического травления PlasmaLab 80Plus с источником ICP;
- установка плазмохимического травления Secon XPL-26.
