Проекты отдела 140

Эпитаксия

• Разработка технологии новых полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs и GaN;
• Изготовление тонкопленочных гетероструктур и сверхрешеток на основе соединений InGaAlAs и AlInGaN для новых приборов.

Диагностика и исследование гетероструктур

• Развитие методик:
  • рентгенодифракционных исследований гетероструктур;
  • масс-спектрометрии вторичных ионов;
  • сканирующей зондовой микроскопии и нанолитографии.
• Транспортные исследования гетероструктур методами токовой, емкостной, фотоэлектрической и туннельной спектроскопи.

Разработка новых технологий и приборов

• Микроволновые смесительные и детекторные диоды;
• Фотоприемники ИК диапизонов;
• Туннельные датчики ускорений/ вибраций;
• Пассивные частотноизбирательные схемы на основе ВТСП.