Отдел технологии наноструктур и приборов

Направления исследований

В отделе проводятся поиск и исследование новых физических явлений в полупроводниковых гетероструктурах и высокотемпературных сверхпроводниках в интересах микро- и оптоэлектроники. Основные направления включают эпитаксиию полупроводниковых гетероструктур на основе In, Ga, Al — As, N и ВТСП YBaCuO; детальное комплексное исследование их свойств и изготовление тестовых структур.

Структура

Заведующий отделом

к. ф.-м. н. Дроздов М.Н.

Лаборатория прецизионной оптической диагностики

Заведующий лабораторией

к. ф.-м. н. П. В. Волков

Лаборатория диагностики радиационных дефектов в твердотельных наноструктурах

Заведующий лабораторией

к.ф.-м.н. П.А. Юнин

Материалы, подготовленные к двадцатилетию института

Фотографии

(4,1 Мбайт)

Публикации

• В. И. Шашкин. Наше дело — новые приборы и технологии (390 Kбайт).