Технология плазмохимического осаждения слоев кремния из его тетрафторида

Разработана одностадийная технология плазмохимического осаждения (толщиной несколько микрон) слоев кремния из его тетрафторида, обеспечивающая минимальное изотопное разбавление. Технология основана на использовании сильнонеравновесного разряда, поддерживаемого в магнитных ловушке излучением миллиметрового диапазона длин волн в условиях электронно-циклотронного резонанса. Получены слои микрокристаллического кремния на молибдене и изотопно-обогащенном монокристаллическом кремнии с рекордным изотопным обогащением по изотопу ²⁸Si — 0.999986±0.000003 и изотопным разбавлением менее 10^-5.