Романов Юрий Анатольевич

Юрий Анатольевич Романов (1934-2010) — известный ученый в области физики полупроводников и физики плазмы, автор более 130 печатных работ. Внес значительный вклад в формирование научного направления — физика полупроводниковых сверхрешеток.

Ю. А. Романов окончил Горьковский государственный университет (кафедра теоретической физики) в 1957 г. После окончания университета работал на кафедре теоретической физики ассистентом, старшим преподавателем. С 1963 г. по 1991 г. работал в Горьковском исследовательском физико-техническом институте инженером исследователем, старшим научным сотрудником (1968 г.), заведующим лабораторией (1970 г.), замдиректора по научной работе, директором (1984-1990 г.). С 1991 по 1993 г. г. — главный научный сотрудник ИПФ РАН, с 1993г. по 2010 г. — главный научный сотрудник ИФМ РАН, в этот же период с 1994 г. по 1998 г. — заведующий лабораторией ИФМ РАН. В 1966 г. защитил кандидатскую диссертацию по теме «К теории ограниченной плазмы», в 1980 г. — докторскую диссертацию по теме «Электромагнитные свойства слоистых плазменных систем и полупроводниковых сверхрешеток». В 1984 г. Ю. А. Романову присвоено звание профессора, в 1999 г. — почетное звание Заслуженного деятеля науки РФ. Романов Ю. А. являлся зам. председателя секции «Твердотельная электроника СВЧ» Научного совета РАН по проблеме «Физическая электроника», в 1989 — 1992г. — член Правления Физического общества СССР. Являлся членом Ученого совета ИФМ РАН и диссертационного совета при ИМФ РАН. В 1994, 1997 и 2000 гг. ему присуждалась Государственная научная стипендия для выдающихся ученых России.

Ю. А. Романову принадлежит ряд фундаментальных результатов, хорошо известных в нашей стране и за рубежом. Одновременно с Л. Еcаки в 1970 г. он предложил реализованный в настоящее время вариант полупроводниковых сверхрешеток на основе кристалла с периодически меняющимся химическим составом. Предсказан ряд эффектов в них: динамическая и абсолютная отрицательная проводимости, индуцированная и самоиндуцированная прозрачности, инверсия блоховских осцилляций (экспериментально обнаружены в 1995г.); фазовый переход полупроводник-полуметалл (в легированных сверхрешетках), параметрическая генерация гармоник, предсказаны новые типы плазменных волн.

В области разработки источников излучения Ю. А. Романовым предложены и исследованы новые механизмы инверсии распределений электронов и малоинерционные механизмы ОДП S-типа в квантовых ямах, обусловленные туннельными и пролетными эффектами. Под его руководством впервые были созданы многослойные гетероструктуры Ge/GeSi с квантовыми ямами и сверхрешетками и периодически легированные кремниевые структуры. На основе многослойных кремниевых структур были созданы и внедрены в производство генераторы излучения субмиллиметрового диапазона (0.8-3мм) и высокоэффективные умножители частот.

В области физики плазмы Ю. А. Романовым разработана кинетическая теория поверхностных волн, предсказано их специфическое затухание, отличное от затухания Ландау, построены теория кулоновского взаимодействия электронов в слоистых средах, кинетическая теория характеристических потерь электронов в тонких пленках, учитывающая возбуждение как объемных, так и поверхностных плазмонов, теория неустойчивости пространственно разделенных электронно-дырочных пучков, показана возможность использования их для создания твердотельных усилителей типа ЛБВ.

Ю. А. Романовым предсказаны нелинейные нелокальные эффекты в плазмоподобных средах: эховый резонанс, просветление проводящих слоев, перенос электронами на большие расстояния пространственно-временной структуры электрических полей и на их основе предложены новые способы диагностики плазмы.

Ю. А. Романов постоянно вел педагогическую работу в Нижегородском государственном университете. Он читал лекции, вел практические и семинарские занятия на физическом и радиофизическом факультетах по всем курсам теоретической физики, подготовил 7 кандидатов и доктора наук, руководил научной работой студентов и аспирантов. Он организовал и провел три Всесоюзных семинара «Многослойные полупроводниковые структуры и сверхрешетки».