Электронно-ионный (двухлучевой) растровый электронный микроскоп NEON 40 EsB

Предназначен для исследования наноструктур, нанопрепарирования, локального ионного травления/осаждения и подготовки сверхтонких срезов для исследований методами ПЭМ. Имеется возможность локального ионно-стимулированного осаждения нескольких материалов (Pt, SiO₂,вольфрам и др.).

СЭМ снимки структуры, полученной локальным ионным травлением (слева) и осажденных контактов из платины для электрофизических исследований (справа).