Подробная информация о диссертации
| Фамилия, Имя, Отчество | Байдакова Наталия Алексеевна |
| Диссертация | Кандидатская диссертация: Процессы поглощения и излучения света в структурахс Ge (Si) самоформирующимися наноостровками, выращенных на различных подложках (3,4 Мбайт) |
| Диссертационный совет | Д 002.069.03 |
| Научная специальность | 05.27.01 — твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах |
| Дата защиты | 28.11.2019 |
| Статус | Присвоена ученая степень кандидата физико-математических наук |
| Заключение диссертационного совета |
На заседании присутствовали 18 членов диссертационного совета (Гапонов С. В.,
|
| Автореферат | Загрузить >>> (350 Kбайт) |
| Отзыв руководителя | Отзыв >>> (920 Kбайт) |
| Объявление на сайте ВАК | https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert/100044488 |
| Ведущая организация |
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им.
|
| Организации, где выполнялась диссертация | Институт физики микроструктур РАН — филиал ФГБНУ ФИЦ Институт прикладной физики Российской академии наук |
| Место работы | Институт физики микроструктур РАН — филиал ФГБНУ ФИЦ Институт прикладной физики Российской академии наук |
| Оппоненты |
Бурдов Владимир Анатольевичд.ф.-м.н., в.н.с, заведующий кафедрой теоритической физики ННГУ им.
Шамирзаев Тимур Сезгировичд.ф.-м.н., в.н.с., ФГБУН Институт физики полупроводников им.
|
| Отзывы на автореферат |
Баталов Рафаэль Ильясовичкандидат физико-математических наук, Пчеляков Олег Петровичдоктор физико-математических наук, заведующий
Шкляев Александр Андреевичдоктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник Лаборатории нанодиагностики и нанолитографии Федерального государственного бюджетного учреждения науки Институт физики полупроводников им. |
История
- 16.09.2018 — Текст диссертации размещён в сети Интернет
- 26.09.2019 — Диссертация принята к защите
- 28.11.2019 — Присвоена ученая степень кандидата физико-математических наук (решение диссертационного совета
от 28.11.2019 протокол N 8)




