Силовые p-i-n диоды на основе AlGaAs

Разработаны и изготовлены образцы силовых p-i-n диодов на основе гетероструктур (Al)Ga)As, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Экспериментальные образцы диодов имеют следующие характеристики: рабочий ток 5 А; обратное пробивное напряжение > 610 В; время обратного восстановления < 23 нс; предельная частота коммутации > 3,1 МГц; максимальная рабочая температура 250 ^оС. Внедрено в АО «Воронежский завод полупроводниковых приборов».

Публикации и патенты:

• В. М. Данильцев, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин, П. А. Юнин. Сильнолегированные слои GaAs: Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника. ФТП, 50, 1459−1462 (2016)
• М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, П. А. Юнин, П. И. Фоломин, А. Б. Гриценко, В. Л. Крюков, Е. В. Крюков. Экстремально глубокий послойный анализ атомного состава толстых (>100 mm) слоев GaAs в составе мощных PIN диодов методом вторично-ионной масс-спектрометрии. Письма в ЖТФ 42, 27−35 (2016)
• А. В. Мурель, В. Б. Шмагин, В. Л. Крюков, С. С. Стрельченко, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин. Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом. ФТП 51, 1538−1542 (2017)
• Изобретение, заявка № 2015112975 от 09.04.2015 «Способ единовременного получения p-i-n структуры GaAs, имеющей p, i и n области в одном эпитаксиальном слое», Р. Ф.
• Изобретение, заявка № 2016136965 от 15.09.2016 «Способ получения многослойных гетероэпитаксиальных структур в системе AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии», Р. Ф.
• Изобретение, заявка № 2016142023 от 27.10.2016 «Способ получения многослойной эпитаксиальной p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкофазной эпитаксии», РФ.