Элементная база и устройства
| Предложен способ управления эффективной высотой баpьеpа Шоттки (Мотта) Al/GaAs за счет дельта-легирования кремнием GaAs в нескольких нанометрах от границы с металлом, что изменяет характер токопереноса с термоэмиссионного на термополевой/туннельный… подробнее >>> |
|
 |
Разработаны и изготовлены образцы силовых p-i-n диодов на основе гетероструктур (Al)Ga)As, выращенных методом жидкофазной эпитаксии… подробнее >>> |
 |
Разработана технология изготовления элементов ВТСП электроники на основе пленок YBCO, осаждаемых на одну или обе стороны подложек из различных материалов: сапфир с подслоями фианита и оксида церия, галата неодима, алюмината лантана, титаната стронция… подробнее >>> |
 |
Разработана промышленная автоматизированная волоконно-оптическая система для дистанционного измерения толщины листового стекла в горячей зоне его производства… подробнее >>> |
| Разработана оригинальная система оптического мониторинга температуры, изгиба подложек и толщины полупроводниковых структур в ходе технологических процессов их формирования (эпитаксии, осаждения и плазмохимического травления)… подробнее >>> |
