Государственная премия СССР в области науки и техники 1987 года «Инвертированные распределения горячих носителей заряда в полупроводниках и генерация стимулированного излучения в ММ, СБММ и ДИК диапазонах»

Предсказаны, обнаружены и детально исследованы новые физические явления, возникающие при динамическом разогреве носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических и магнитных полях, приводящем с значительной деформации функции распределения, локализации и накоплению носителей в выделенных оюластях импульсного програнства. Впервые получено стимулированное излучение в инвертированных системах горячих дырок в Ge и созданы первые в мире лабораторные образцы полупроводниковых мазеров и лазеров коротковолновой части миллиметрового, субмиллиметрового и дальнего ИК (терагерцового) диапазонов

λ ≈ 0,8-8 мм, E || H 1984 г. — NEMAG	λ ≈ 0,1 мм, E ⊥ H 1984 г. — лазер на l-h переходах в Ge
Ge, Т = 4,2 K, импульсный режим

Премия была присуждена следующим ученым:

В.Н. Шастин, З. Ф. Красильник, В. И. Гавриленко, А. А. Андронов, А. М. Белянцев, В. А. Козлов

• А.А.Андронов,
• А.М.Белянцев,
• Л.Е. Воробьев (ЛПТИ),
• В.И. Гавриленко,
• Ю.Л.Иванов (ФТИ им. Иоффе),
• З.Ф. Красильник,
• В.А. Козлов,
• И.Б. Левинсон (ИПТМ АН СССР),
• В.Н. Мурзин (ФИАН),
• Е.В. Стариков (ИФП АН Лит. ССР),
• В.Н. Шастин,
• П.Н. Шикторов (ИФП АН Лит. ССР).