РусскийEnglish

Список публикаций оппонента Хохлов Д.Р.

член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н., заведующий кафедрой общей физики и физики конденсированного состояния ФГБОУВО Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова"

  1. Е.В. Тихонов, Ю. А. Успенский, Д. Р. Хохлов. Вычисление спектров квазичастичных электронныхвозбуждений ворганических молекулярных полупроводниках. ЖЭТФ, 147, 1262−1270 (2015)
  2. А.В. Галеева, С. Г. Егорова, В. И. Черничкин, Л. И. Рябова, С. Н. Данилов, А. В. Никорич, Д. Р. Хохлов. Терагерцовая фотогенерация в PbTe (Ga), индуцированная магнитнымполем. Письма в ЖЭТФ, 104, 64−67 (2016)
  3. A.V. Galeeva, S.G. Egorova, V.I. Chernichkin, M.E. Tamm, L.V. Yashina, V.V. Rumyantsev, S.V. Morozov, H. Plank, S.N. Danilov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Manifestation oftopological surface electron statesin photoelectromagnetic effect induced by terahertz laserradiation. Semicond.Sci. Technol., 31,095010 (2016)
  4. A.V. Galeeva, I.V. Krylov, K.A. Drozdov, A.F. Knjazev, A.V. Kochura, A.P. Kuzmenko, V.S. Zakhvalinskii, S.N. Danilov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Electron energy relaxation under terahertz excitation in (Cd1-xZnx)3As2Dirac semimetals. BeilsteinJourn.Nanotechnol., 8,167−171 (2017)
  5. A.V. Galeeva, V.I. Chernichkin, D.E. Dolzhenko, A.V. Nicorici, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Optimization of the operating regime of Pb1-xSnxTe (In)terahertz photodetectors. IEEETransactions on Terahertz Science and Technology, 7, 172−176 (2017)
  6. А.В. Галеева, А. И. Артамкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. Н. Данилов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов. Терагерцовая фотопроводимость в Hg1-xCdxTeвблизиперехода от прямого к инверсному спектру. Письмав ЖЭТФ, 106,156 — 160 (2017)
  7. A.V. Galeeva, A.I. Artamkin, A.S. Kazakov, S.N. Danilov, S.A. Dvoretskiy, N.N. Mikhailov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Non-equilibriumelectron transport induced byterahertz radiation in the topological and trivial phases ofHg1−xCdxTe.Beilstein Journal ofNanotechnology, 9,1035−1039 (2018)
  8. А.В. Галеева, А. Е. Парафин, Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Л. Панкратов, С. Н. Данилов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов. Особенности терагерцовойфотопроводимости в YBa2Cu3O7-dвблизи температуры сверхпроводящего перехода. Письма в ЖЭТФ, 107,810−813 (2018)
  9. M.S. Kotova, K.A. Drozdov, T.V. Dubinina, E.A. Kuzmina, L.G. Tomilova, R.B. Vasiliev, A.O. Dudnik, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. In situimpedance spectroscopy offlament formation by resistive switches in polymer basedstructures. ScientificReports, 8, 9080 (2018)

© 2000—2024, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия