Шмагин Вячеслав Борисович

Старший научный сотрудник отдела физики полупроводников (отд. 110), к. х. н.

Персональные данные

Родился 10.12.1951 г., г. Кинешма Ивановской обл.

Научные интересы

Светоизлучающие кремниевые микро- и наноструктуры, в том числе на основе кремния, легированного эрбием (диапазон 1.5 мкм) и другими редкоземельными элементами, светоизлучающие гетероструктуры SiGe/Si с квантово-размерными объектами.

Образование

• 1973 — закончил радиофизический факультет Горьковского государственного университета;
• 1987 — защитил кандидатскую диссертацию по теме «Исследование электрически активных примесей в гидридном германии методом бесконтактной фотоэлектрической спектроскопии», научный руководитель — д. х. н., акад. Г. Г. Девятых

Профессиональная карьера

• 1978 — 1997 — Институт химии высокочистых веществ РАН;
• 1997 — н/вр — Институт физики микроструктур РАН.

Педагогическая деятельность

Руководство диссертационными работами

• 2008 — Ремизов Дмитрий Юрьевич «Ударное возбуждение ионов эрбия в кремниевых светодиодных структурах, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии»;
• 2013 — Кудрявцев Константин Евгеньевич «Особенности электролюминесценции Er-содержащих центров с линейчатыми спектрами излучения в эпитаксиальных кремниевых структурах»

Избранные публикации

• Б.А.Андреев, Л. И. Герштейн, В. Б. Иконников, В. Б. Шмагин. Бесконтактный способ регистрации спектров фотопроводимости полупроводников // Приборы и техника эксперимента В3, 172 (1985);
• Г. Г. Девятых, Б. А. Андреев, В. А. Гавва, Д. М. Гордеев, А. В. Гусев, Г. А. Максимов, В. Г. Пименов, Д. А. Тимонин, В. Б. Шмагин. Определение доли электрически активных форм меди в общем ее содержании в кристаллах высокочистого германия // Доклады РАН 329, 601 (1993);
• V.B. Shmagin, A. V. Lyutov, D. Yu. Remizov, K. E. Kudryavtsev, M. V. StepikhovaandZ. F. Krasilnik. Temperature increase in erbium electroluminescence from epitaxially grown Si: Er diodes // Materials Science & Engineering B146, 256 (2008).
• K.E. Kudryavtsev, V. B. Shmagin, D. V. Shengurov and Z. F. Krasilnik. Extremely sharp electroluminescence from Er-doped silicon // Semicond. Sci. Technol. 24, 065009 (2009);
• В.Б. Шмагин, В. П. Кузнецов, К. Е. Кудрявцев, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, З. Ф. Красильник. Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур p+/n+/n-Si:Er туннельно-пролетного типа // Физика и техника полупроводников 44, 1533 (2010);

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−81

E-mail: shm@ipmras.ru