Бушуйкин Павел Александрович

Электроник 1 категории отдела физики полупроводников (8110)

Персональные данные

Родился 17 января 1991 г.

Научные интересы

Физика полупроводников; Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых структур

Образование

• ВШОПФ, ННГУ

Профессиональная карьера

• 2010−2012 — старший лаборант ИФМ РАН
• 2012−2017 — младший научный сотрудник ИФМ РАН
• 2017− н.в. — электроник 1 категории ИФМ РАН

Избранные публикации

1. New photoelectrical properties of InN: Interband spectra and fast kinetics of positive and negative photoconductivity of InN. Bushuykin P. A., Andreev B. A., Davydov V. Yu., Lobanov D. N., Kuritsyn D. I., Yablonskiy A. N., Averkiev N. S., Savchenko G. M., Krasilnik Z. F. //Journal of Applied Physics, v.123, n.19, p.195701 (2018)
2. Towards the indium nitride laser: obtaining infrared stimulated emission from planar monocrystalline InN structures / Andreev B.A. Kudryavtsev K.E., Yablonskiy A. N, Lobanov D.N., Bushuykin P.A., Krasilnikova L.V., Skorokhodov E.V., Yunin P.A., Novikov A.V., Davydov V.Yu., Krasilnik Z.F. //Scientific Reports, v.8, p.9454 (2018)

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−81 (+230)
E-mail: bushuikinp@ipmras.ru