Бекин Николай Александрович

Научный сотрудник отдела физики полупроводников, к. ф.-м. н.

Персональные данные

Родился 4 июня 1969 года.

Научные интересы

Физика полупроводников, физика сверхрешёток и низкоразмерных гетероструктур, мелкие примеси, физика лазеров.

Образование

• 1986 — 1993 — Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского;
• 1997 — 2000 — аспирантура ИФМ РАН;
• 2001 — кандидат физико-математических наук (диссертация «Исследование оптических и туннельных переходов в гетероструктурах со сложной валентной зоной в приближении эффективной массы», рук. В. Я. Алешкин).

Профессиональная карьера

• 1993 — н. в. — стажёр-исследователь, младший научный сотрудник, научный сотрудник ИФМ РАН.

Избранные публикации

• Туннелирование дырок через гетеробарьер / В. Я. Алешкин, Н. А. Бекин, ЖЭТФ 105 (5), 1396 (1994);
• The conduction band and selection rules for interband optical transitions in strained GeSi/Ge and GeSi/Si heterostructures / V. Ya. Aleshkin, N. A. Bekin, J. Phys. Condens. Matter 9, 4841 (1997);
• Каскадный лазер на мелких донорах в дельта-легированных сверхрешетках GaAs/AlGaAs / Н. А. Бекин, В. Н. Шастин, ФТП 42 (5), 622 (2008).
• Coulomb centers assisted tunneling in a delta-doped triple barrier SiGe heterostructure / R. Kh. Zhukavin, N. A. Bekin, D. N. Lobanov, Yu. N. Drozdov, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, D. A. Pryakhin, E. D. Chhalo, D. V. Kozlov, A. V. Novikov, V. N. Shastin, Physica E 57, 42 (2014).

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−79 +260

E-mail: nbekin@ipmras.ru