Объемные полупроводники и гетероструктуры
|
|
Развита технология молекулярно-пучковой эпитаксии светоизлучающих структур с самоформирующимися наноостровками и квантовыми точками GeSi… подробнее >>> |
|
|
С использованием метода МПЭ разработана технология формирования на подложках Si (001) релаксированных слоев Ge с малой (≤1нм) шероховатостью поверхности и низкой (~107 см-2) плотностью прорастающих дислокаций… |
|
|
Продемонстрировано существование нового типа псевдо-релятивистских частиц — фермионов Кейна в узкозонных твердых растворах HgCdTe… |
|
|
В волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe при оптической накачке получено стимулированное излучение на рекордно большой длине волны 19.5 мкм… подробнее >>> |
 |
Созданы первые в мире лазеры на основе кремния… подробнее >>> |
| Разработана лабораторная технология получения кремния и германия в плазменном разряде смеси SiF4 или GeF4 и водорода… подробнее >>> |
