Фадеев Михаил Александрович

Младший научный сотрудник лаборатории основ наноэлектронной компонентной базы информационных технологий (181)

Персональные данные

Родился 19 ноября 1993 г.

Научные интересы

Терагерцовая спектоскопия двумерных полупроводниковых систем; мелкие примеси; квантовые каскадные лазеры; приемники и источники терагерцового излучения; коллективные и спин-зависимые явления в квантовых ямах на основе узкозонных и бесщелевых полупроводников

Образование

• 2010 — закончил лицей № 40 Нижнего Новгорода
• 2010−2016 — студент факультета ВШОПФ Нижегородского госуниверситета им. Н. И. Лобачевского (ННГУ)
• 2016 — аспирант ИФМ РАН

Профессиональная карьера

• 2014−2016 — старший лаборант ИФМ РАН, студент межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника»
• 2016−н.в. — младший научный сотрудник ИФМ РАН

Избранные публикации

1. Stimulated emission from HgCdTe quantum well heterostructures at wavelengths up to 19.5 μm / S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, and V.I. Gavrilenko, Applied Physics Letters 111 (19), 192101 (2017)
2. HgCdTe-based heterostructures for Terahertz photonics / S. Ruffenach, A. Kadykov, V.V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S.S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winner, M. Helm, M.A. Fadeev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov, and F. Teppe, APL Materials.5 (3), 035503 (2017)
3. Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe / В. В. Румянцев, Н. С. Куликов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. В. Иконников, А. С. Казаков, М. С. Жолудев, В. Я. Алешкин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, Физика и техника полупроводников. 52 (11), 1263−1267 (2018)
4. Stimulated emission in the 2.8−3.5 μm wavelength range from Peltier cooled HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures / M.A. Fadeev, V.V. Rumyantsev, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, A.V. Antonov, K.E. Kudryavtsev, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov, V.I. Gavrilenko, and S.V. Morozov. Optics Express 26 (10), 12755−12760 (2018)
5. Magnetooptical Studies and Stimulated Emission in Narrow Gap HgTe/CdHgTe Structures in the Very Long Wavelength Infrared Range / V.V. Rumyantsev, L.S. Bovkun, A.M. Kadykov, M.A. Fadeev, A.A. Dubinov, V.Ya. Aleshkin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, B. Piot, M. Orlita, M. Potemski, F. Teppe, S.V. Morozov and V.I. Gavrilenko, Semiconductors 52 (4), 436 — 441 (2018)
6. Experimental Observation of Temperature-Driven Topological Phase Transition in HgTe/CdHgTe Quantum Wells. / M.S. Zholudev, A.M. Kadykov, M. A. Fadeev, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, C. Consejo, W, Knap, J. Torres, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S. A Dvoretskii and F. Teppe, Condensed Matter, 4 (1), 27 (2019)
7. Temperature-dependent terahertz spectroscopy of inverted-band three-layer InAs/GaSb/InAs quantum well / S.S. Krishtopenko, S. Ruffenach, F. Gonzalez-Posada, G. Boissier, M. Marcinkiewicz, M.A. Fadeev, A.M. Kadykov, V.V. Rumyantsev, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko, C. Consejo, W. Desrat, B. Jouault, W. Knap, E. Tournié, and F. Teppe, Physical Review B 97 (24), 245419 (2018)

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−82 (262)
E-mail: fadeev@ipmras.ru