Дроздов Юрий Николаевич

Ведущий научный сотрудник отдела технологии гетероструктур, д. ф.-м. н.

Персональные данные

Родился 7 июля 1947 г., г. Киров, Россия. Женат.

Научные интересы

Рентгеновская дифрактометрия, анализ эпитаксиальных структур, рост тонких пленок.

Образование

• 1965 — окончил школу № 4 г. Горького;
• 1970 — окончил физический факультет Горьковского государственного университета им. Н. И. Лобачевского;
• 1974 — защитил кандидатскую диссертацию «Современные методы анализа функции Патерсона. Расшифровка кристаллических структур минерала вуоннемита и двух синтетических ванадатов серебра», рук. — Э. А. Кузьмин;
• 2006 — защитил докторскую диссертацию «Рентгеновская дифрактометрия гетероэпитаксиальных слоев и многослойных структур на их основе».

Профессиональная карьера

• 1970 — 1978 — младший / старший научный сотрудник Горьковского исследовательского физико-технического института (ГИФТИ при ГГУ);
• 1978 — 1992 — зав. лабораторией ГИФТИ;
• 1992 — 1994 — с. н. с. Института прикладной физики РАН;
• 1994 — 2006 — с. н. с. Института физики микроструктур РАН.
• 2007 — н/вр — в. н. с. ИФМ РАН

Педагогическая деятельность

Спецкурс «Основы дифракционного структурного анализа», ННГУ им. Н. И. Лобачевского.

Избранные публикации

• Расшифровка кристаллических структур фенаксита и иннелита методом кратных пиков // В. П. Головачев, Ю. Н. Дроздов, Э. А. Кузьмин, В. В. Илюхин, Н. В. Белов, Кристаллография 16 (4), 6 (1971);
• Исследование гетероэпитаксиальных структур Ge_xSi_1-xSi полученных в вакууме // Л. Н. Абросимова, Ю. Н. Дроздов, Т. С. Кунцевич, В. А. Толомасов, Изв. АН СССР. Сер."Неорг.матер." 26 (8), 4 (1990);
• О триклинной деформации псевдоморфных слоев на подложках с разориентированным срезом // Ю. Н. Дроздов. Кристаллография 38 (3), 3 (1993);
• Стpуктуpа и тpанспоpтные свойства свеpхтонких пленок YBaCuO // А. В. Ваpганов, Е. А. Вопилкин, П. П. Вышеславцев, Ю. Н. Дроздов, Ю. Н. Ноздpин, С. А. Павлов, А. Е. Паpафин, В. В. Таланов. Письма в ЖЭТФ 63 (8), 608 (1996);
• Динамическое рассеяние рентгеновских лучей на многослойных эпитаксиальных структурах // Ю. Н. Дроздов, Л. Д. Молдавская. Физика твердого тела: Лабораторный практикум. Под ред проф. А. Ф. Хохлова. Том1. Нижний Новгород. ННГУ, С.169 (2000);
• Сегрегация индия при выращивании квантовых ям InGaAs/GaAs в условиях газофазной эпитаксии // Ю. Н. Дроздов, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков, М. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин. ФТП 37 (2), 203 (2003);
• Рентгеновская дифрактометрия эпитаксиальных гетероструктур с большим рассогласованием периодов решеток // Дроздов Ю. Н. Изв. РАН, Сер. физич. 69 (2), 264 (2005);
• Spatial separation of vacancy and interstitial defects formed in Si by oxygen-ion irradiation at elevated temperature // Yu. I. Danilov, H. Boudinov, J. P. de Souza, Yu. N. Drozdov. Journal of Applied Physics 97, 076106 (2005);
• Моделирование неоднородных твердых растворов ковалентных кристаллов и анализ деформационных эффектов в их свойствах // Ю. Н. Дроздов, В. М. Данильцев, Л. Д. Молдавская, А. В. Новиков, В. И. Шашкин. Поверхность. РСНИ. № 5., 30 (2006);
• Критическая толщина перехода по Странскому-Крастанову с учетом эффекта сегрегации // Д. В. Юрасов, Ю. Н. Дроздов. ФТП 42 (5), 579 (2008);
• Влияние упругих напряжений в подслоях на критическую толщину перехода по Странскому-Крастанову в системе GeSi/Si (001) // Ю. Н. Дроздов, Д. Н. Лобанов, А. И. Никифоров, А. В. Новиков, В. В. Ульянов, Д. В. Юрасов. Поверхность. РСНИ. № 7, 61 (2009).
• Анизотропный пьезоэффект в микроэлектромеханических системах на основе эпитаксиальных гетероструктур // Вопилкин Е. А., Шашкин В. И., Дроздов Ю. Н., Данильцев В. М., Климов А. Ю., Рогов В. В., Шулешова И. Ю. Al_0.5Ga_0.5As/AlAs. ЖТФ, 79, (10), 75 (2009).
• Прямое сравнение периодов сверхрешеток, измеренных методом рентгеновской дифрактометрии и оптической интерферометрии // Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, Изв. РАН. Сер. Физическая 75 (1), 45 (2011).
• Новый подход к рентгенодифракционному анализу тестовых структур при калибровке потоков в реакторах эпитаксиального роста. Дроздов Ю. Н., Новиков А. В., Юрасов Д. В., Юнин П. А. «Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования», № 6, с. 36 (2012);
• Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов // П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, Д. Н. Лобанов, Физика и техника полупроводников 47 (12), 1580 (2013).

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−91

E-mail: drozdyu@ipmras.ru