Новиков Алексей Витальевич

Директор ИФМ РАН, заведующий лабораторией молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых гетероструктур отдела физики полупроводников, д.ф.-м.н..

Персональные данные

Родился 6 марта 1968 г.

Научные интересы

Молекулярно-лучевая эпитаксия полупроводниковых гетероструктур, кремний, германий, нитриды металлов третьей группы, самоформирующиеся квантовые точки и наноостровки, сегрегация, спектроскопия люминесценции, атомно-силовая микроскопия

Образование

• 1992 — закончил факультет Прикладной физики и микроэлектроники Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского;
• 1993 — 1996 — аспирант Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, г. Н. Новгород, Россия;
• июнь 2001 — защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по теме «Исследование роста и свойств самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si (001)».

Профессиональная карьера

• 1992 — 1993 — инженер в Научно-исследовательском физико-техническом институте при Нижегородском государственном университете;
• 1996 — 2003 — младший / старший научный сотрудник ИФМ РАН;
• Май — июль 1999 — стажировка в лаборатории проф. Y. Shiraki, University of Tokyo, Tokyo, Japan;
• 2003 — 2015 — заведующий лабораторией молекулярно-пучковой эпитаксии кремний-германиевых структур ИФМ РАН;
• Сентябрь — октябрь 2003 — стажировка в лаборатории проф. O.G. Schmidt, Max-Planck-Institute for Solid State Research, Stuttgart, Germany;
• Апрель — июнь 2007 — стажировка в лаборатории проф. J. Kolodzey, Department of Electrical and Computer Engineering, University of Delaware, USA;
• 2015 — н/в — заведующий лабораторией молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых гетероструктур ИФМ РАН;
• 2018 — н/в — заместитель директора ИФМ РАН по научно-техническому развитию
• 2003 — н/в — доцент Радиофизического факультета ННГУ им. Н. И. Лобачевского, чтение спецкурса лекций «Основы полупроводниковой технологии».
• 2021 — н/в — Директор ИФМ РАН

Избранные публикации

1990 — 1999гг.

• Self-organization of germanium nanoislands obtained in silicon bymolecular-beam epitaxy / V. Ya. Aleshkin, N. A. Bekin, N. G. Kalugin, Z. F. Krasil’nik, A. V. Novikov, V. V. Postnikov, H. Seyringer, JETP Letters 67 (1), 48−53 (1998).

2000 — 2009гг.

• Low-Energy Photoluminescence of Structures with GeSi/Si (001)Self-Assembled Nanoislands / N. V. Vostokov, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil’nik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, A. N. Yablonskii, JETP Letters 76, 365 (2002).
• Growth and photoluminescence of Ge (Si) self-assembled islandsobtained during the deposition of Ge on a strained SiGe layer / D. N. Lobanov, A. V. Novikov, N.V. Vostokov, Y. N. Drozdov, A. N. Yablonskiy, Z. F. Krasilnik, M. Stoffel, U. Denker, O. G. Schmidt, Optical Materials 27, 818−821 (2005).
• Photoluminescence of Ge (Si) self-assembled islands embedded in atensile-strained Si laye r/ M. V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z.F.Krasilnik, O. A. Kuznetsov, Applied Physical Letters 88, 011914 (2006).
• Photoluminescence of dome and hut shaped Ge (Si) self-assembledislands embedded in a tensile-strained Si layer / M. V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z.F. Krasilnik, O. A. Kuznetsov, Applied Physics Letters 91, 021916 (2007).
• Features of two-dimensional to three-dimensional growth modetransition of Ge in SiGe/Si (001) heterostructures with strainedlayers / D. V. Yurasov, Yu. N. Drozdov, M. V. Shaleev, A. V. Novikov, Applied Physical Letters 95, 151902 (2009).

2010 — 2019гг.

• Observation of the electron-hole liquid in Si_1-xGe_x/Si quantumwells by steady-state and time-resolved photoluminescencemeasurements / V. S. Bagaev, V. S. Krivobok, S. N. Nikolaev, A. V. Novikov, E. E. Onishchenko, M. L. Skorikov, Phys. Rev. B 82, 115313−5 (2010).
• Distinctions in the Ge wetting layer formation and self-assembledisland nucleation between single- and multilayer SiGe/Si (001)structures / D. V. Yurasov, M. V. Shaleev, А. V. Novikov, Journal of Crystal Growth 313, 12 (2010).
• SiGe nanostructures with self-assembled islands for Si-basedoptoelectronic / Z. F. Krasilnik, A. V. Novikov, D. N. Lobanov, K. E. Kudryavtsev, A. V. Antonov, S. V. Obolenskiy, N. D. Zakharov, P Werner, Semiconductor Science and Technology 26, 014209 (2011).
• Usage of antimony segregation for selective doping of Si inmolecular beam epitaxy / D. V. Yurasov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, M. V. Shaleev, N. D. Zakharov, A. V. Novikov, Journal of Applied Physics 109, 113533 (2011).
• Barrier-Height Modification in Schottky Silicon Diodes with Highly Doped 3D and 2D Layers / A. V. Murel, A. V. Novikov, V. I. Shashkin, and D. V. Yurasov, Semiconductors 46 (11), 1358−1361 (2012).
• Transition from planar to island growth mode in SiGe structures fabricated on SiGe/Si (001) strain-relaxed buffers / M.V. Shaleev, A.V. Novikov, D.V. Yurasov, J.M. Hartmann, O.A. Kuznetsov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik, Appl. Phys. Lett. 101, 151601 (2012).
• Сегрегация сурьмы в напряженных SiGe-гетероструктурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии / М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, ФТП 47 (11), 1493−1496 (2013).
• Кинетика фотолюминесценции самоформирующихся Ge (Si) островков в многослойных структурах SGe/Si и SiGe/SOI / А. Н. Яблонский, Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов, ФТП 47 (11), 1509−1512 (2013).
• Динамика фазовых переходов в системе неравновесных носителей заряда квантоворазмерных структур Si1-x Gex/Si / В. С. Багаев, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, Е. Е. Онищенко, А. А. Пручкина, Д. Ф. Аминев, М. Л. Скориков, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, ЖЭТФ 144 (5), 1045−1060 (2013).
• Segregation of Sb in SiGe heterostructures grown by molecular beam epitaxy: interdependence of growth conditions and structure parameters / D.V. Yurasov, M.N. Drozdov, N.D. Zakharov and A. V. Novikov, J. of Crystal Growth 396, 66−70 (2014).
• Investigation of deformations and strain fields in silicon matrix structures embedded with vertically stacked Ge (Si) self-assembled islands / D.A. Pavlov, A.I. Bobrov, A.V. Novikov, D.S. Sorokin, N.V. Malekhonova, A.V. Pirogov, D.E. Nikolitchev, A.V. Boryakov, Appl. Phys. Lett. 105, 161910 (2014).
• Real-time measurement of substrate temperature in molecular beam epitaxy using low-coherence tandem interferometry / D.V. Yurasov, A.Yu. Luk’yanov, P.V. Volkov, A.V. Goryunov, A.D. Tertyshnik, M.N. Drozdov and A.V. Novikov, J. Crystal Growth 413, 42−45 (2015).
• Рост светоизлучающих SiGe гетероструктур на подложках «напряженный кремний на изоляторе» с тонким слоем окисла / Н. А. Байдакова, А. И. Бобров, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, ФТП 49 (8), 1129−1135 (2015).
• Excitonic luminescence of SiGe/Si quantum wells δ-doped with boron / V.S. Bagaev, V.S. Krivobok, S.N. Nikolaev, A.V. Novikov, E.E. Onishchenko, A.A.Pruchkina, J. Appl. Phys. 117, 185705 (2015).
• Control of surface dip diameter in Si-based photonic nanostructures by changing growth temperature of Ge quantum dot multilayer structures and its impact on their optical properties / O. Aonuma, Yu. Hoshi, T. Tayagaki, A. Novikov, D. Yurasov, and N. Usami, Jap. J. of Appl. Phys. 54, 08KA01 (2015).
• Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных Ge/Si (001) слоев, полученных методом МПЭ / Д. В. Юрасов, А. И. Бобров, В. М. Данильцев, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, ФТП 49 (11), 1463−1468 (2015).
• Antimony segregation in Ge and formation of n-type selectively doped Ge films in molecular beam epitaxy / D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, V.B. Schmagin, K.E. Spirin, A.V. Novikov, J. Appl. Phys.118, 145701 (2015).
• Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп / Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, Б. А. Андреев, П. А. Бушуйкин, П. А. Юнин, Е. В. Скороходов, Л. В. Красильникова, ФТП 50 (2), 264−268 (2016).
• Quantitative depth profiling of Si1−xGex structures by time-of-flight secondary ion mass spectrometry and secondary neutral mass spectrometry / M.N. Drozdov, Y.N. Drozdov, A. Csik, A.V. Novikov, K. Vad, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, S.F. Belykh, G.P. Gololobov, D.V. Suvorov, A. Tolstogouzov, Thin Solid Films 607, 25−31 (2016).
• Features of SOI substrates heating in MBE growth process obtained by low-coherence tandem interferometry / P.V. Volkov, А.V. Goryunov, D.N. Lobanov, А.Yu. Lukyanov, А.V. Novikov, А.D. Tertyshnik, М.V. Shaleev, D. V. Yurasov, J. Cryst. Growth 448, 89−92 (2016) (doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.05.029)
• Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grown by MOCVD on exact Ge/Si (001) substrate / V. Ya. Aleshkin, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, A.G. Fefelov, Z.F. Krasilnik, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, I.V. Samartsev, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.A. Sushkov, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, Appl. Phys. Lett. 109 (6), 061111−5 (2016) (doi.org/10.1063/1.4961059).
• Electrically pumped InGaAs/GaAs quantum well microdisk lasers directly grown on Si (100) with Ge/GaAs buffer / N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Yu.S. Polubakina, M.V. Maximov, M.M. Kulagin, S.I. Troshnikov, YU.M. Zadiranov, A.A. Lipovskii, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, D.V. Yurasov, A.E. Zhukov, Optical Express 25 (14), 16754−16760 (2017) (doi.org/10.1364/OE.25.016754).
• Quantum dot emission driven by Mie resonances in silicon nanostructures / V. Rutckaia, F. Heyroth, A. Novikov, M. Shaleev, M. I. Petrov, J. Schilling, Nano Letters 17 (11), 6886−6892 (2017) (doi: 10.1021/acs.nanolett.7b03248).
• Formation of black silicon using SiGe self-assembled islands as a mask for selective anisotropic etching of silicon / D.V. Yurasov, A.V. Novikov, M.V. Shaleev, N.A. Baidakova, E.E. Morozova, E.V. Skorokhodov, Y. Ota, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami, Materials Science in Semiconductor Processing 75, 143−148 (2018) (doi.org/10.1016/j.mssp.2017.11.032).
• Structural and electrical properties of Ge-on-Si (001) layers with ultra heavy n-type doping grown by MBE / D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, P.A. Yunin, B.A. Andreev, P.A. Bushuykin, N.A. Baydakova, A.V. Novikov, J. Crystal Growth 491, 26−30 (2018) (doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.03.037).
• Towards the indium nitride laser: obtaining infrared stimulated emission from planar monocrystalline InN structures / B.A. Andreev, K.E. Kudryavtsev, A. N Yablonskiy, D.N. Lobanov, P.A. Bushuykin, L.V. Krasilnikova, E.V. Skorokhodov, P.A. Yunin, A.V. Novikov, V. Yu Davydov, Z.F. Krasilnik, Scientific Reports (2018) 8:9454 (doi:10.1038/s41598−018−27911−2).
• MOCVD growth of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures with quantum wells on Ge/Si substrates / N. Baidus, V. Aleshkin, A. Dubinov, K. Kudryavtsev, S. Nekorkin, A. Novikov, D. Pavlov, A. Rikov, A. Sushkov, M. Shaleev, P. Yunin, D. Yurasov, Z. Krasilnik, Crystals 8, 311 (2018) (doi:10.3390/cryst8080311).
• Формирование и исследование локально растянутых Ge микроструктур для кремниевой фотоники / А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Е. В. Скороходов, В. А. Вербус, А. Н. Яблонский, Н. А. Байдакова, Н. С. Гусев, К. Е. Кудрявцев, А. В. Нежданов, А. И. Машин, ФТП 52 (11), 1131−1136 (2018) (doi 10.21883/FTP.2018.11.46594.16).
• Light emission from Ge (Si)/SOI self-assembled nanoislands embedded in photonic crystal slabs of various period with and without cavities / M.V. Stepikhova, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy, M.V. Shaleev, D.E. Utkin, V.V. Rutckaia, E.V. Skorokhodov, S.M. Sergeev, D.V. Yurasov, Z.F. Krasilnik, Semiconductor Science and Technology 34, 024003 (7pp) (2019) (doi.org/10.1088/1361−6641/aaf7a7).

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−80

E-mail: anov@ipmras.ru