Светоизлучающие эпитаксиальные структуры Si:Er/Si и Si:Er/SOI

Одно из основных направлений работы института — исследование транспортных и оптических свойств полупроводниковых наногетероструктур, включая физику сверхрешеток и систем с квантовыми ямами и квантовыми точками, оптику наноструктур, разработку новых типов полупроводниковых лазеров, изучение магнитотранспортных свойств полупроводниковых наноструктур. Институт занимает лидирующие позиции в области физических и технологических основ кремниевой оптоэлектроники. Развиваются методы молекулярно-пучковой эпитаксии светоизлучающих структур на основе SiGe/Si и Si: Er/Si, исследуются механизмы излучения и поглощения света этими структурами в ближнем ИК-диапазоне, физические принципы фотоприемников, светодиодов и лазеров на их основе.

Светодиоды Si: Er/Si

Излучаемая мощность на длине волны λ =1.54 мкм составляет до 5 мкВт.

Излучательный центр Er-1 с рекордным сечением поглощения в волноводных струкутрах Si: Er/SOI

«Запасённая» электролюминесценция в светодиодах Si: Er/Si и элемент памяти с оптическим выходом