Кремниевые ТГц лазеры
В институте впервые наблюдалось при низких температурах T ~ 4 K стимулированное излучение терагерцового диапазона из монокристаллов кремния n-типа, обусловленное инверсным заселением возбужденных состояний доноров при оптической накачке. Эти исследования развивали выполненные ранее, отмеченные Государственной премией СССР в области науки и техники работы по обнаружению и изучению стимулированного излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазона длин волн в дырочном германии.
Лазеры с инверсией
Получен эффект стимулированного ТГц излучения в n-Si при оптическом резонансном возбуждении и фотоионизации. Лазерное излучение развивается на переходах 2р0-1s (Т2) (Si:P, Si: Sb) или 2р±-1s (Т2) (Si:As, Si: Bi).
 |
 |
| Схема переходов | Спектры излучения |
Рамановские лазеры
Получен эффект вынужденного комбинационного (электронного) рассеяния в n-Si. Рамановский сдвиг определяется разницей энергий между состояниями 1s(A1) и 1s(E).
 |
 |
| Схема переходов | Спектры излучения |
